h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>安森美>ON(安森美)NCP51820AMNTWG高速栅极驱动器
ON(安森美)NCP51820AMNTWG高速栅极驱动器
2022-08-27 471次

 

NCP51820AMNTWG

 

一、NCP51820AMNTWG介绍

  厂商型号:NCP51820AMNTWG

  品牌名称:ON(安森美)

  元件类别:栅极驱动IC

  封装规格:15-QFN(4x4)

  型号介绍: 高速栅极驱动器

 

 

二、NCP51820AMNTWG概述

  NCP51820AMNTWG高速栅极驱动器设计用于满足驱动增强模式(e−模式)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT)、氮化镓(GaN)离线电源开关、半桥电源拓扑的严格要求。NCP51820AMNTWG提供短和匹配的传播延迟与先进的电平转移技术提供−3.5 V到+ 650v(典型)共模电压范围为高的−侧驱动器和−3.5 V到+3.5 V共模电压范围为低的−侧驱动器。此外,该器件可为高速开关应用中的两个驱动器输出级提供稳定的额定电压高达200 V/ns的dV/dt工作。为了充分保护GaN功率晶体管的栅极免受过高的电压应力,两个驱动级都采用了专用的电压调节器来精确地保持栅极-源驱动信号的幅值。该电路主动调节驱动器的偏置导轨,从而在各种操作条件下防止潜在的栅源过电压。NCP51820AMNTWG提供了重要的保护功能,如独立的欠压锁定(UVLO),监测VDD偏置电压和VDDH和VDDL驱动偏置以及基于器件的模结温度的热关机。可配置可编程死时控制,防止交叉导通。

 

  特点:

  •650 V,集成高侧和低侧栅极驱动器

  •软交换应用推荐

  •VDD高侧和低侧驱动器的UVLO保护

  •双TTL兼容施密特触发输入

  •分离输出允许独立的开/关调节

  •来源能力:1 A;下沉能力:2 A

  分离的HO和LO驱动器输出级

  为GaN器件优化的1ns升降时间

  •SW和PGND:负电压瞬变,可达3.5 V

  •200v /ns dV/dt适用于所有SW和保护地线参考电路

  •最大传播延迟小于50 ns

  •匹配的传播延迟小于5ns

  •用户可编程死区−时间控制

  •热停堆(TSD)

 

  应用领域:

  驱动GaN功率晶体管用于软开关全或

  半桥式,LLC,主动钳反激或向前,图腾柱

  PFC和同步整流拓扑

  •工业变频器和电机驱动器

  •交流到直流转换器

 

 

三、NCP51820AMNTWG中文参数/资料

  商品分类:栅极驱动IC

  品牌:ON(安森美)

  封装:15-QFN(4x4)

  电压-供电:9V ~ 17V

  工作温度:150°C(TJ)

  安装类型:表面贴装型

  基本产品编号:NCP51820

  RoHS状态:符合 ROHS3 规范

  湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

  REACH状态:非 REACH 产品

  ECCN:EAR99

  HTSUS:8542.39.0001

  驱动配置:半桥

  通道类型:独立式

  栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET

  逻辑电压-VIL,VIH:-

  电流-峰值输出(灌入,拉出):1A,2A

  输入类型:非反相

  上升/下降时间(典型值):2ns,1.5ns

  高压侧电压-最大值(自举):670 V

 

 

 

四、NCP51820AMNTWG引脚图、原理图封装图

 

 

NCP51820AMNTWG引脚图

 

 

 

 

NCP51820AMNTWG电路图(原理图)

 

 

 

 

NCP51820AMNTWG封装图

 

 

  • 安森美推出第七代SPM31智能功率模块 (IPM)
  • onsemi安森美推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而总体系统成本更低。
    2024-02-28 440次
  • 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT
  • 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT,具备业界领先的性能水平,能最大程度降低导通损耗和开关损耗,助力客户的系统设计。
    2023-12-21 453次
  • 安森美1700 V EliteSiC MOSFET碳化硅SiC系列
  • 新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率损耗,加强了我们EliteSiC系列产品在性能和品质方面的高标准,同时也进一步扩大了安森美EliteSiC的深度和广度。 EliteSiC系列产品碳化硅(SiC)。
    2023-01-07 854次
  • 安森美NCD83591 60 V、3相栅极驱动器
  • NCD83591是一款60 V、3相栅极驱动器,专为无刷直流,简称“BLDC电机应用而设计,集成了三个独立的半桥驱动器和一个检测放大器,以提供简单易用的栅极驱动器。
    2022-12-10 678次
  • 安森美推出TCPAK57封装MOSFET
  • 新的Top Cool器件采用TCPAK57封装,尺寸仅5 mm x 7 mm,在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘,可以将热量直接散发到散热器上,而不是通过传统的印刷电路板(以下简称“PCB”)散热。
    2022-11-30 905次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部