商品名称 | 商品型号 | 品牌 | 价格 | 库存 |
IGBT管/模块 | 2MBI400VB-060-50 | FUJI(富士电机) | 373.75000 | 60个 |
场效应管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士电机) | 36.67350 | 1800个 |
IGBT管/模块 | FGW75XS120C | FUJI(富士电机) | 19.34300 | 7200个 |
场效应管(MOSFET) | FMW20N60S1HF | FUJI(富士电机) | 9.32650 | 4800个 |
场效应管(MOSFET) | FMW60N070S2HF | FUJI(富士电机) | 15.31800 | 1800个 |
场效应管(MOSFET) | FMW60N075S2FDHF | FUJI(富士电机) | 16.73250 | 3600个 |
整流桥 | SF1600-TAP | VISHAY(威世) | 1.05800 | 25000个 |
场效应管(MOSFET) | STW9N150 | ST(意法半导体) | 12.42000 | 3600个 |
场效应管(MOSFET) | IRFP4668PBF | Infineon(英飞凌) | 7.18750 | 4000个 |
IGBT管/模块 | FGW50N65WD | FUJI(富士电机) | 12.16700 | 300个 |
IGBT管/模块 | FGW50XS65C | FUJI(富士电机) | 8.62500 | 12000个 |
场效应管(MOSFET) | FMH11N90E | FUJI(富士电机) | 8.71700 | 10000个 |
场效应管(MOSFET) | FMH09N90E | FUJI(富士电机) | 5.04850 | 6000个 |
场效应管(MOSFET) | AOM033V120X2 | AOS(美国万代) | 37.17950 | 240个 |
IGBT管/模块 | FGW75XS65C | FUJI(富士电机) | 13.31700 | 4800个 |
IGBT管/模块 | 2MBI400VB-060-50 | FUJI(富士电机) | 373.75000 | 60个 |
场效应管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士电机) | 36.67350 | 1800个 |
IGBT管/模块 | FGW75XS120C | FUJI(富士电机) | 19.34300 | 7200个 |
场效应管(MOSFET) | FMW20N60S1HF | FUJI(富士电机) | 9.32650 | 4800个 |
场效应管(MOSFET) | FMW60N070S2HF | FUJI(富士电机) | 15.31800 | 1800个 |
场效应管(MOSFET) | FMW60N075S2FDHF | FUJI(富士电机) | 16.73250 | 3600个 |
整流桥 | SF1600-TAP | VISHAY(威世) | 1.05800 | 25000个 |
场效应管(MOSFET) | STW9N150 | ST(意法半导体) | 12.42000 | 3600个 |
场效应管(MOSFET) | IRFP4668PBF | Infineon(英飞凌) | 7.18750 | 4000个 |
IGBT管/模块 | FGW50N65WD | FUJI(富士电机) | 12.16700 | 300个 |
IGBT管/模块 | FGW50XS65C | FUJI(富士电机) | 8.62500 | 12000个 |
场效应管(MOSFET) | FMH11N90E | FUJI(富士电机) | 8.71700 | 10000个 |
场效应管(MOSFET) | FMH09N90E | FUJI(富士电机) | 5.04850 | 6000个 |
场效应管(MOSFET) | AOM033V120X2 | AOS(美国万代) | 37.17950 | 240个 |
IGBT管/模块 | FGW75XS65C | FUJI(富士电机) | 13.31700 | 4800个 |
工业应用
电网基础设施
医疗应用
新能源
汽车电子
人工智能
智能家居
仪器仪表