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数字时代数据存储器无处不在，使用的电子设备里面都有数据存储器，只是类型不一样而已。数据存储器按照不同的分类标准可以划分为很多种，其中有一个比较经典的划分方式，可以将其分为两类：易失性数据存储器和非易失性数据存储器。

  一、易失性数据存储器

  1、概述

  其英文为Volatile Memory，特点是当电源关闭后不能保留数据，而且无法恢复，正因为如此，有时也称作“可变存储器”或者直接称为“随机存储器”(RAM,Random Access Memory)，最常见的比如说我们平常用的PC或者主机的系统内存，内存里的数据在掉电后会释放掉，会丢失，但好处是可以快速读取调用，起到了在计算机和数字系统中暂时存储程序、数据和中间结果的作用。

  2、RAM进一步划分

  (1)静态随机存储器(SRAM,Static Random-Access Memory)，所谓“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，即SRAM是不需要刷新电路，就能保存它内部存储的数据。SRAM速度非常快，但价格相对比较贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

  (2)动态随机存储器(DRAM,Dynamic Random Access Memory)指的是里面所储存的数据需要周期性地更新，每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据就会消失。其速度比SRAM慢，不过比任何的ROM(下面会介绍)都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存一般就用DRAM的。DRAM也可分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM，WRAM等等。

  两者对比：

SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM要大，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM比DRAM要贵。具体些，与SRAM相比，DRAM的结构简单，每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因为这个缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高，成本低一些，但DRAM访问速度比SRAM慢。

  二、非易失性数据存储器

  1、概述

  其英文为non-volatile memory，是指当把电流关掉后，所存储的数据不会消失的数据存储器。

  2、进一步划分

  (1)ROM

  叫只读存储器(ROM,Read-Only Memory)以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写所存储的数据内容。ROM所存储的数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变，并且结构较简单，使用方便，因而常用于存储各种固定的程序、数据，指令等。ROM又可划分为掩膜型ROM、MASK ROM、PROM、EPROM、EEROM、Flash ROM、EAROM、OTPROM，EEPROM等，这些类型层次关系暂不介绍。

  (2)Flash

  Flash闪存属于非易失存储器，是一种可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程，并允许在操作中被多次擦写的存储器。任何Flash器件的写入操作只能在空的或已擦除的单元内进行。Flash又可以分为：

  a、NOR Flash

  b、NAND Flash

  两者对比：

  NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件主要是以64～128KB的块进行的，执行一个擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件主要是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作在基于NOR的单元中进行。所以总结：

  NOR读速度比NAND稍快一些;

  NAND的写入速度比NOR快很多;

  NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快;

  大多数写入操作需要先进行擦除操作;

  NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

  此外NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多，NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码，而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。

  NOR Flash一般用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间，而NAND Flash一般用于SSD硬盘、U盘，存储卡等。

  (3)3D XPoint™ 存储器

  它将原本平面化的NAND Flash结构变成了立体结构，在立体结构中存储数据，容量将不再单纯受芯片平面面积大小的影响，同样的芯片面积上可以容纳更大的数据吞吐量。同时与NAND相比3D XPoint拥有更加出色的性能和耐久，价格方面也处在DRAM和NAND之间。如果说每一个单位的NAND Flash就是一栋平房，那么3D XPoint可以说是直接在地基上建造的摩天大楼。3D XPoint™可以说是自NAND推出以来最具突破性的一项存储技术，也被看作是存储产业的一个颠覆者。3D XPoint拥有与NAND类似的容量以及接近DRAM的性能，该技术可以广泛应用在游戏、媒体、金融等领域，未来具有广阔的应用前景。

  (4)机械硬盘

  机械硬盘HDD是非易失性存储器最典型的代表，大家都比较熟悉了。

  (5)光盘和软盘

  软盘已经消失了，光盘在一定领域还是有一定的需求的，技术也有一些发展，比如蓝光光碟等。