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  碳化硅和IGBT优缺点，在对碳化硅长达30多年的研究中，英飞凌的技术打磨和沉淀，最终体现在具体的产品和技术上，典型的就是英飞凌CoolSiC™ MOSFET，它可以简化拓扑结构，减少器件数量，降低损耗，提高功率密度。

  CoolSiC™ MOSFET 芯片面积比IGBT小很多，大约是IGBT与续流二级管之和的五分之一;在耐高压方面则可以通过提高系统的开关频率来提高系统性能，提高系统功率密度;在可靠性和质量保证方面，能很好地规避平面栅的栅极氧化层可靠性问题，同时功率密度也更高。

  正是由于SiC MOSFET这些出色的性能，其在光伏逆变器、UPS、ESS、电动汽车充电、燃料电池、电机驱动和电动汽车等领域都有相应的应用。

  相对而言，安森美的技术和产品更加集中在汽车半导体领域，如电动汽车主驱领域的M3系列碳化硅功率模块，及后续更大性能提升的M3e系列。在碳化硅设计生产方面，安森美拥有近20年的经验积累，目前已发布了三代碳化硅 MOSFET，每一代都针对一种特定的应用：

  M1基于Square cell结构，适用于工业和汽车应用，针对在20 kHz范围内运行的最低导通损耗和稳定可靠性进行了优化;M2系列应用了Hex cell结构，涵盖同类型但电压较低的应用，具有针对这些电压优化的新型晶胞结构;M3系列采用了Strip cell结构，主要针对快速开关应用;下一代安森美将采用Trench cell结构，其性能还将得到进一步提升。用安森美的话说，其所有的碳化硅器件都已达到最高的可靠性水平，并已完全实现工业化。

  在功率设备领域，安森美一方面从基础、晶圆、单管、模块到系统级都有完整的硅基设备和碳化硅设备解决方案。另一方面，安森美近年来仍在不断投资改进碳化硅设备的沟槽设计、包装技术和工艺，大大提高了终端设备的转换效率、功率密度和成本控制。与此同时，硅基设备也在不断改进，以满足新的应用需求。

  安森美中国汽车碳化硅现场应用工程师牛嘉浩总结说，新技术的发展并不意味着原技术的消亡，这是一个迭代的过程。虽然碳化硅迅速崛起，取代硅基设备是一些应用的主流趋势，但硅基功率设备仍占据大部分市场，有自己的优势，不会在短时间内退出舞台。

  从安森美和英飞凌对IGBT和碳化硅的态度来看，硅基IGBT本身的股票市场仍然很大，碳化硅器件仍处于早期发展阶段，无论是起步还是加快发货，两者的市场总量仍有一定差距，两者不是零和博弈，甚至有许多新的应用领域，需要两者共同发挥，在交叉互补中前进。IGBT余热尚未消散，碳化硅新风缓缓掀起。