h1_key

  什么是BCD芯片工艺呢?

  BCD芯片工艺是1986年由ST首次推出的一种单晶片集成工艺技术，可以在一块衬底上同时集成Bipolar, CMOS和DMOS。它的出现大大地减小了芯片的面积。

图1：BCD工艺

BCD工艺充分发挥了Bipolar驱动能力、CMOS高集成度和低功耗、DMOS高压大电流通流能力的优势。其中，DMOS是提升功率和集成度的关键。

  BCD工艺电源芯片的发展

  由BCD工艺制成的电源管理芯片的发展主要源自制程和封装的进步。两者合力将芯片朝逐渐小型化方向推动。

图2：BCD电源芯片

  BCD工艺制程

  BCD工艺制程近年来得到了飞速的发展，其发展充分符合摩尔定律的规律，制程也从最初的500nm提升到现在的55nm，功率密度随之得到了极大的提升，同时也大大减小了芯片面积。

  封装工艺

  随着制程的进步，芯片的面积随之缩小，这也对电源管理芯片的散热提出挑战，为了解决散热问题，电源管理芯片的封装就从传统的打线式SOIC、QFN等逐步迈进到Flip Chip、甚至是扇出型等先进封装。

图3：芯片封装变革

图4：3A DC-DC封装进化史

  因此，我们看到在芯片的晶粒尺寸随着BCD工艺制程提升而不断缩小的同时，封装工艺的提升也使得芯片大小更逼近晶体本体大小。