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  DFB芯片的技术发展趋势

  国内的DFB激光器芯片相关专利呈现一种短期内的爆发状态，基本在2017年出现各种芯片相关专利，于2019-2020年达到专利申请的高峰期。这与当时的国际形势有紧密的联系，从漂亮国的制裁力度来看，2017年出现国际芯片进出口的限制，2019年刚好迎来芯片制裁的第一波高峰期，限制的力度和国内的专利申请量呈现正比的关系，基本表明了我国企业在芯片的制造技术上储备充足。在这段时间，光芯片的技术专利还集中在芯片制造技术上，主要包括光芯片的刻蚀，切割与外延生长上。

  2021-2022年，芯片专利出现数量减少，从该种技术的发展趋势上，这一点是不符合常规的，DFB激光器芯片的市场依然广阔，出现该种数量减少，更多的原因在于原材料和设备的供应链出现问题，当然也包括部分技术已基本成熟。此时的光芯片技术转向了一些高性能低成本的制备技术，以及一些新的芯片应用出现。

  DFB激光器芯片

  光芯片是光通信行业的核心基础元件，并且一直处于光通信产业链的顶端位置，不仅仅在技术上是行业产品的最难技术点，在成本上也占据了光通信产品的40%-50%。从漂亮国对国内的芯片限制来说，也不难看出光芯片在国内通信行业内的重要地位，除了对行业龙头华为无底线的制裁外，美国还针对芯片本身的进出口，材料供给和芯片设计软件三方面做出严厉限制。

  本文主要局限于对有源的激光器芯片和探测器芯片的专利发布状况进行分析，希望借此能够获得行业大佬对于本公众号的长期关注，并希望能够抛砖引玉，获得前辈们的指导。

DFB激光器芯片具有极好的单纵模特性，单片集成后可以用在中距离传输的DR/FR/CWDM光模块之中，在电信市场上可以用于光纤接入的PON光模块和无线接入的前传光模块DFB激光器中。DFB激光器的芯片的关键工艺在于光栅的制备和二次外延生长，目前成熟的外延制备工艺主要有金属化学气相沉积法(MOCVD)和分子束外延(MBE)技术。