


| 商品名称 | 商品型号 | 品牌 | 价格 | 库存 |
| IGBT管/模块 | FGW75XS120C | FUJI(富士电机) | 17.91700 | 7200个 |
| IGBT管/模块 | IKQ75N120CH3 | Infineon(英飞凌) | 30.70500 | 1680个 |
| 场效应管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士电机) | 34.76450 | 1800个 |
| IGBT管/模块 | IKW40N120H3 | Infineon(英飞凌) | 12.56950 | 4800个 |
| 场效应管(MOSFET) | FMH07N90E | FUJI(富士电机) | 4.40450 | 10000个 |
| 稳压二极管 | 1N4752A-TAP | VISHAY(威世) | 0.17940 | 50000个 |
| 场效应管(MOSFET) | IPP041N04NG | Infineon(英飞凌) | 2.24250 | 1259个 |
| IGBT管/模块 | IKW75N65EL5 | Infineon(英飞凌) | 18.17000 | 650个 |
| 场效应管(MOSFET) | IRFR9220TRPBF | VISHAY(威世) | 1.98950 | 20000个 |
| 整流桥 | US1M-E3/61T | VISHAY(威世) | 0.14145 | 1800个 |
| IGBT管/模块 | IKW40N120CS6 | Infineon(英飞凌) | 13.02950 | 46个 |
| 整流桥 | VS-ETH0806FP-M3 | VISHAY(威世) | 2.01250 | 25000个 |
| 晶闸管(可控硅)/模块 | VS-70TPS12PBF | VISHAY(威世) | 20.58500 | 2000个 |
| 场效应管(MOSFET) | IMZ120R045M1 | Infineon(英飞凌) | 49.69150 | 1200个 |
| 整流桥 | GSIB2580-E3/45 | VISHAY(威世) | 7.65900 | 1200个 |
| IGBT管/模块 | FGW75XS120C | FUJI(富士电机) | 17.91700 | 7200个 |
| IGBT管/模块 | IKQ75N120CH3 | Infineon(英飞凌) | 30.70500 | 1680个 |
| 场效应管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士电机) | 34.76450 | 1800个 |
| IGBT管/模块 | IKW40N120H3 | Infineon(英飞凌) | 12.56950 | 4800个 |
| 场效应管(MOSFET) | FMH07N90E | FUJI(富士电机) | 4.40450 | 10000个 |
| 稳压二极管 | 1N4752A-TAP | VISHAY(威世) | 0.17940 | 50000个 |
| 场效应管(MOSFET) | IPP041N04NG | Infineon(英飞凌) | 2.24250 | 1259个 |
| IGBT管/模块 | IKW75N65EL5 | Infineon(英飞凌) | 18.17000 | 650个 |
| 场效应管(MOSFET) | IRFR9220TRPBF | VISHAY(威世) | 1.98950 | 20000个 |
| 整流桥 | US1M-E3/61T | VISHAY(威世) | 0.14145 | 1800个 |
| IGBT管/模块 | IKW40N120CS6 | Infineon(英飞凌) | 13.02950 | 46个 |
| 整流桥 | VS-ETH0806FP-M3 | VISHAY(威世) | 2.01250 | 25000个 |
| 晶闸管(可控硅)/模块 | VS-70TPS12PBF | VISHAY(威世) | 20.58500 | 2000个 |
| 场效应管(MOSFET) | IMZ120R045M1 | Infineon(英飞凌) | 49.69150 | 1200个 |
| 整流桥 | GSIB2580-E3/45 | VISHAY(威世) | 7.65900 | 1200个 |
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