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英飞凌IRF3205PBF
产品分类:场效应管(MOSFET)
功能类型:N沟道
英飞凌IRLML6401TRPBF
产品分类:场效应管(MOSFET)
功能类型:P沟道
英飞凌IR2110SPBF
产品分类:栅极驱动IC
功能类型:500V高边和低边栅极驱动IC
英飞凌BTS724GXUMA1
产品分类:功率电子开关
功能类型:带集成垂直功率FET
英飞凌SAK-TC265D-40F200W-BC
产品分类:MCU
功能类型:三个独立32位TriCore
英飞凌TC214L8F133NACKXUMA1
产品分类:MCU微控制器
功能类型:133MHz TriCore
英飞凌XMC1202T016X0032ABXUMA1
产品分类:MCU微控制器
功能类型:人机界面HMI应用
英飞凌XMC4500F144F1024ACXQMA1
产品分类:MCU
功能类型:32位处理器核心
英飞凌XMC4300F100F256AAXQMA1
产品分类:MCU
功能类型:32 位单核 144MHz
英飞凌XMC1302T038X0200ABXUMA1
产品分类:MCU
功能类型:32 位单核 32MHz

特色产品

英飞凌IRFB7437功率MOSFET
IRFB7437是功率MOSFET,40V单n通道StrongIRFET™功率MOSFET在TO-220封装,StrongIRFET™功率MOSFET系列是针对低RDS(开)和高电流能力进行优化的。该设备是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的投资组合解决了广泛的应用,包括直流电机,电池管理系统,逆变器和DC-DC转换器。
英飞凌IKW40N120H3
IKW40N120H3采用反并联二极管,1200V 40A IGBT,,高速 1200 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT4,采用TO-247封装的续流二极管装,提供开关和传导损耗之间的折中方案。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为,实现了低关断损耗。

品牌介绍

英飞凌

英飞凌(InfineonTechnologies),简称英飞凌,成立于1999年,总部位于德国,Infineon英飞凌是世界十大半导体供应商之一,以及汽车电子、电池管理和驱动。致力于满足当今社会三大科技挑战——高能效、移动性和安全性,并提供半导体和系统解决方案。全球汽车半导体市场份额排名第一,基于2020年约3500亿美元的汽车半导体市场规模,英飞凌的市场份额超过13%。英飞凌拥有最常见的汽车半导体产品组合,包括传感器和不同级别的商品MCU,Power等等。系统级解决方案的构建应能满足车身的所有基本需求,如车身、动力总成等。

Infineon英飞凌拥有全球46700名员工,60名员工R&D中心,19个制造基地,英飞凌产品被称为高可靠性、非凡的质量和创新,掌握了模拟和混合信号、射频、功率和嵌入式控制装置领域的尖端技术。Infineon英飞凌广泛应用于汽车机电设备、车身及便利设备、安全管理和信息娱乐系统。汽车电子产品领域的持续成功主要是由于对汽车应用和需求的持续关注,以及40多年丰富的经验和非凡的创新产品组合。

英飞凌

应用场景

  • 英飞凌工业应用

    工业应用

  • 英飞凌通讯应用

    通讯应用

  • 英飞凌消费类电子

    消费类电子

  • 英飞凌汽车电子

    汽车电子

  • 英飞凌智能安全

    智能安全

  • 英飞凌新能源

    新能源

  • 英飞凌医疗应用

    医疗应用

相关资源

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SiC串式逆变器的解决方案   与硅技术相比,SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势,它解决了能效与成本的迫切需求,特别是在需要双向功率转换的时候。   易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键特征之一。如果只需要两个工人来搬运和安装该系统,将会非常利于运维。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高。这不仅节省了能源,而且使设备更小、更轻,相关的资本、安装和维护成本更低。   关键的应用要求及其挑战   在光伏和储能系统中,1500V的高系统电压要求宇宙辐射引起的故障率非常低,同时要求功率器件具有更高的系统效率。由于这些矛盾的要求,ANPC多电平拓扑结构是目前首选的解决方案,因为其在整个功率因数运行范围内的效率最高(图1)。这样的逆变器完美适用于太阳能和电池存储应用。   图1:1500V光伏逆变器的两种最常见拓扑结构的比较   适应ANPC拓扑结构的一种具有成本效益的方法是将英飞凌的1200V CoolSiC™ MOSFET与TRENCHSTOP™ IGBT7技术优化组合。图2显示了参考方案中的一个桥臂,其中T1、T4、T5和T6由硅基IGBT和相应的硅续流二极管(FWD)组成。晶体管M2和M3由带有体二极管的CoolSiC™ MOSFET组成。通过使用图2中的调制方案[1]和[2],IGBT在工频50/60Hz的情况下开关。因此,IGBT被优化为具有较低的导通损耗。这样,开关损耗只发生在快速和高效的SiC MOSFET上。因此,SiC器件的数量减少到最低限度,实现了最佳的成本-性能比。   图2:Easy 3B功率模块中的ANPC拓扑结构及其调制方案   与IGBT逆变器方案相比,尺寸相当的SiC MOSFET模块也可以处理更多的功率。例如,一个工作频率为16kHz的英飞凌950V EasyPACK™ 3B IGBT模块可以被两个较小的EasyPACK™ 2B尺寸1200V CoolSiC™模块取代,工作频率为32 kHz。随着功率处理能力增加32%,达到139千伏安,这个解决方案的功率转换损失几乎降低了5%。这进一步将逆变器的效率提高了0.3%——这是一场真正的"值得信赖的革命!"   图3:在16kHz下开关的950V EasyPACK™ 3B IGBT解决方案与在32kHz下开关的EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET解决方案的比较   参考设计证明了其优点   为了证明在光伏组串和储能逆变器中使用SiC MOSFET的显著优势,英飞凌已经为额定功率高达300kW的1500 VDC系统开发了一个模块化参考设计。该设计采用了新颖的双向3电平ANPC拓扑结构,在两个方向上的效率接近99%,开关频率高达96kHz(交错并联结构)。对于包括散热器和所有控制在内的完整解决方案来说,功率密度大于5千瓦/公斤,在理想的80公斤最大机柜重量中,可输出300千瓦功率。   通过使用SiC可以很容易地从整体效率的提高中计算出能源使用和成本节约;例如,与超级结Si MOSFET解决方案相比,1200V CoolSiC™ MOSFET可以将ESS安装中的损耗减半,并提供通常2%的额外能量和运行时间。对于类似的性能,SiC MOSFET的单位成本通常高于IGBT。但在系统层面上,硬件成本会大大降低,因为更高的开关频率允许使用更小、更便宜的磁性元件和散热器。例如,在1500V的光伏组串逆变器中,每千瓦的成本可望至少节省5-10%(图4)。   图4:与IGBT相比,使用SiC MOSFET的组串逆变器的系统成本明显降低
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英飞凌先进吊扇电子控制方案   选择吊扇来调节空气温度和环境舒适性仍然是许多中国居民和公共场所使用的一种手段,这与全球地理环境和社会发展有关。即使在发达地区,风扇与艺术创新相结合,也已成为对传统生活方式的记忆和对生活环境的美化。随着电子技术的发展,吊扇的形状、材料、电机和控制已经上升到一个新的水平。吊扇的控制逐渐从简单的开关发展到持续的空气调节、机械开关到控制器控制甚至语音控制,甚至是网络远程操作。英飞凌的产品完全契合了这一要求,推出了一款先进的参考设计板。见图1。这款参考板可以嵌入到吊扇内,甚至电机里。通过遥控器控制风速。该方案除了用于吊扇,还可以用于其它各式风扇,如台式,立式,空调室内室外风扇等。   图1. 吊扇电控参考设计板   图2. 参考板设计框图   图3. 主要器件   图4. 典型运行波形   这是一款开放式设计,用户可以得到全套设计资料包括软件。方案中使用的所有有源器件都是英飞凌最新推出的高效率,小型化器件,可以一站式提供。输入电压跟随式有源功率因数的嵌入可以适应宽输入电压范围,除了提高功率因数,也是一个电压调节器,对电网电压波动大的供电地区非常友好。相信成本也是大家非常关心的话题,首先看到的这是一款单面板,这得益于英飞凌的高集成度器件,如SOT223封装的单芯片RCD2逆导IGBT,集成了3相高压驱动的iMOTION™控制器(iMOTION Driver),SOT23封装的PFC驱动器。最先进的逆导IGBT大大降低了损耗省去了散热器。所有这些高效率技术使我们可以做到单面板、小面积、低高度。   电机控制算法和红外接收解码软件一定是大家最关心的话题,英飞凌iMOTOION™已经做好了永磁电机的无传感器控制算法软件,用户只需要通过iMOTION™提供的调试工具就可以给新电机配置参数和调试。   当然这个参考设计也尽我们所能,考虑了各种保护和标准要求,如脉冲电压,电磁兼容等。下面给出了具体指标供参考:   ●脉冲电压兼容IEC61000-4-5,L-N,L-PE and N-PE 4kV   ●宽输入电压范围:单相交流120~300Vrms,   ●额定输入电压和功率时功率因数大于0.95   ●直流母线跟随交流电压策略   ●高开关频率实现无电磁噪声   ●全输入电压范围输出35W   ●停机记忆速度指令   ●过电流保护   ●板上辅助电源   ●PCB尺寸:直径90mm单面圆板,1oz铜   ●兼容RoHS   该参考设计使用的英飞凌器件供参考
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英飞凌全新CoolGaN 65W参考设计   英飞凌在本次USB PD亚洲展上推出了基于一款PAG1P/S的65W氮化镓参考设计,初级氮化镓开关管采用IGLD60R190D1,PCB尺寸为52*42*22mm,输入滤波电容采用永铭KCX系列电解电容,三颗33μF一颗22μF,合计121μF容量。变压器采用RM10磁芯,这款65W参考设计功率密度达1.35W/cm³。   英飞凌65W氮化镓参考设计一览,变压器次级输出线直接焊接到次级小板上,输出低压固态电容垂直焊接,充分利用空间,高压侧有两级共模电感。   输出侧使用两颗永铭NPX固态电容滤波,470μF25V耐压。电容下方是一颗隔离变压器,PAG1P与PAG1S采用变压器进行隔离通信,避免光耦长时间出现老化,提高适配器寿命。输入侧X电容垫高焊接在保险丝和共模电感上方,充分利用内部空间。   左侧四颗永铭电解用于输入滤波,变压器采用绝缘胶带缠绕绝缘。输出小板垂直焊接,侧面是同步整流管,采用英飞凌BSC0805LS,耐压100V,导阻7mΩ。   英飞凌 BSC0805LS 详细资料   此方案采用了英飞凌PAG1系列零电压控制套片,兼顾了成本与性能特性:   英飞凌PAG1P与PAG1S套片示意图。PAG1P采用反激方案,PAG1S集成同步整流和协议功能,内部集成VBUS和同步整流驱动。   适配器输入端采用两颗整流桥并联,均摊发热。电路板背面均为初级元件,有初级控制IC和氮化镓开关管。   英飞凌PAG1P初级IC特写,型号为CYPAP111A。采用SO10封装。   英飞凌氮化镓开关管,IGLD60R190D1,600V耐压,导阻190mΩ,采用PG-LSON-8-1封装。焊盘加锡帮助导热。   英飞凌IGLD60R190D1支持超快开关,无反向恢复电荷,可提升系统能效,提升功率密度,支持高频运行,降低系统成本,减小EMI。支持-55-150℃温度范围。英飞凌IGLD60R190D1适用于开关电源,高密度充电器,支持软开关和硬开关,如图腾柱PFC,高频LLC和反激。

万联芯城

万联芯城成立于2014年1月2日,隶属于深圳市万联芯科技有限公司,是中国首批尝试开发电子元器件小批量采购的垂直电商平台之一;万联芯城以“让供应链更高效,让智造更简单”为使命驱动,可为中小制造终端用户提供元器件现货、BOM配单、PCBA制造等一站式电子制造解决方案。

自创立以来,万联芯城一直坚守着“以良心做好良芯”的理念,相继获得航顺芯片、川土微电子、先科ST、顺络电子、日电产科宝、长电科技、厚声、金升阳、日本东信工业、长江连接器等30余家国内外知名原厂的授权代理资格。 万联芯坚持“一切以用户为中心”的服务理念,服务客户数超过50000家,覆盖工业控制、通信、物联网、医疗、汽车等行业。

万联芯城先后获得国家高新技术企业、深圳市电子商会“副会长单位”、深圳市电子商会“优秀...

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