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英飞凌CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。

  产品型号：

  ▪️ IMYH200R012M1H

  ▪️ IMYH200R024M1H

  ▪️ IMYH200R050M1H

  ▪️ IMYH200R075M1H

  ▪️ IMYH200R0100M1H

  产品特点

  ●VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统

  ●开关损耗极低

  ●创新的HCC封装

  ●针脚间爬电距离为14毫米

  ●5.4毫米电气间隙

  ●栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

  ●用于硬换流的坚固体二极管

  ●.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

  ●高耐湿性

  应用价值

  ●市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻断电压高达2000V

  ●1500V的DC的变流器可以用两电平实现

  ●与1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系统具有足够的过压裕量

  ●TO-247封装，具有高爬电距离和间隙

  应用领域

  ●光伏逆变器

  ●储能系统

  ●电动汽车充电