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英飞凌推出USB 10Gbps外设控制器EZ-USB™ FX10
2023-12-21 1699次

  EZ-USB™ FX10是 USB 10Gbps 外设控制器产品系列,适用于相机、视频、成像和数据采集等领域的新一代 USB 应用。EZ-USB™ FX10配置了双核 ARM® Cortex®-M4和M0+ CPU、512 KB 闪存、128 KB SRAM、128 KB ROM、7个串行通信模块(SCB)、密码加速器和高带宽数据子系统,可以在 LVDS/LVCMOS 端口和 USB 端口之间提供速度高达10 Gbps的 DMA 数据传输。其高带宽数据子系统额外配置了1 MB SRAM,以便为USB 数据提供缓冲。EZ-USB™ FX10还支持 USB-C 插入方向检测和反转多路复用功能,无需外部逻辑电路。

 

  EZ-USB™ FX10 的主要功能

  EZ-USB™ FX10 以卓越的 EZ-USB™ FX3 控制器为基础,将其性能提升300%,到达另一水平。

  

 

 

  ●USB 3.2 Gen2 设备端口

    - 集成 PHY:10Gbps、5Gbps、480Mbps

    - USB-C 插头方向检测和校正

  ●双核 CPU

    - 150 MHz ARM® Cortex®-M4F

    - 100 MHz ARM® Cortex®-M0+

  ●存储子系统

    - 512 KB 闪存

    - 1024 + 128 kb SRAM

  ●双模式高带宽数据接口

    - LVDS/SubLVDS:多达16个1.25 Gbps的RX数据通道

    - LVCMOS:160 MHz DDR下,高达32位数据总线

  ●外设I/O端口

    - 2个四路SPI (QSPI)

    - 7 个串行通信模块(I2C、SPI、CAN、UART)

    - USB 全速(12Mbps)设备

    - 2x I2S/PDM-PCM 和 GPIO

  ●密码加速器

  ●封装:10 mm x 10 mm,169 球,球间距 0.75 mm


 

  EZ-USB™ FX10 的优势:

  将高性能和易用性融合进一个外设控制器中

性能比前代产品提高 300%

 

  更小的 PCB 基底面和优化的 BOM 成本

  ● 10X10 BGA 封装

  ● USB-C 直接连接,无需高速信号复用器

  ● 集成闪存

  

  快速启动开发

  ● 通过配置工具启动固件

  ● USB 视频级,UVC,固件就绪

  ● USB3 视觉固件已就绪

  ● 基于FMC标准的 DVK,可快速连接到 FPGA 板

  ● 一体化编程/调试辅助板

  ● 硬件和软件的应用说明

 

 

  EZ-USB™ FX10的应用:

  利用 10Gbps 连接提升应用水平

  

 

 

 

  EZ-USB™ FX10部件信息

  

 

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
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  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
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  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 147次

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