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英飞凌推出MOTIX™系列双通道栅极驱动器IC
2024-01-08 1104次

  英飞凌宣布用于汽车和工业电机控制应用的MOTIX™系列再添新成员。为进一步扩大这一先进产品系列的阵容,英飞凌推出了MOTIX™双通道栅极驱动器IC,包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160V的绝缘体上硅片(SOI)栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案,具有出色的抗闩锁能力,并且专门用于电池供电应用,如无绳电动工具、多旋翼飞行器、无人机和电池电压高达120V的轻型电动汽车等。

  

 

 

MOTIX™ 2ED27xxS01G

 

  英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构,具有出色的稳健性,以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管,可为外部高压侧自举电容供电,从而进一步降低系统级BOM成本。这些半导体器件采用紧凑型3x3mm² VSON10封装,并且提供半桥(HB)和高边+低边(HS+LS)两种配置以及两种不同的拉/灌电流,可以在各种应用中驱动n沟道MOSFET。

  2ED2732S01G和2ED2742S01G的拉电流为1A,灌电流为2A;2ED2738S01G和2ED2748S01G的拉电流为4A,灌电流为8A。所有产品的VCC和VB引脚均具有独立的欠压锁定(UVLO)功能,半桥产品还集成了击穿保护(STP)功能。此外,相关的JEDEC78/20/22测试表明,MOTIX™ 160V解决方案完全满足工业应用要求。

 

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    2026-04-14 140次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 169次

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