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  在存储行业，非易失性闪存(以下简称闪存)自诞生之日起，便掀起了一场影响深远的行业变革。作为数字经济的基础设施，闪存技术的创新迭代，使得数字时代终于从蓝图化作了现实。

  在不久前的FMS上，全球各大原厂再次同聚一堂，就闪存技术的发展创新，展开了热烈的讨论，其中传言已久的PLC闪存芯片，也有了新进展。我们不由得感叹，闪存技术的发展简直日新月异，一日千里。

  闪存芯片的定义和原理

  闪存芯片，从定义而讲，它是一种非易失性存储器，朴素理解即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位;从原理上而言，NAND闪存是由成千上万个Cell组成的Array(阵列)，单位Cell内部电位的多少，存储量的高低，推动了不同类型闪存芯片的问世。闪存行业重要的技术发展方向之一由此诞生，即如何在单位Cell中注入更多的电位，存储更多的数据，实现性能和成本的统一。

  不同闪存芯片电位数

  闪存芯片类型释义

  SLC闪存芯片

  即在Cell内部仅存有“0”和“1”总计2个电位，每单元可存储1bit数据，由于内部电位设计较少，能够快速执行通放电指令，性能表现优异;同时，没有多余的电位设计，还使得其在稳定性和寿命有着天然优势，可承受100000次擦写;然而，SLC单层存储单元设计，某种意义上是“以空间冗余换性能”，空间利用低。至于应用上，在某些特定的、成本敏感度不高，更追求性能和寿命的存储场景中，SLC闪存芯片优异的性能和寿命优势，依然存在不可替代性。

  SLC闪存芯片特性

  MLC闪存芯片

  则是在Cell中拥有“00”、“01”、“10”、“11”等4个电位，形成双层存储单元，每个单元能够存储2bit数据;在性能上，4个电位的存在，使得性能对比SLC略逊一筹。但在存储空间上，是SLC两倍，兼具了性能、寿命和容量优势，在闪存发展早期，MLC一直是业内最具竞争力的产品，被广泛的应用于早期的数据中心、服务器等领域。

  MLC闪存芯片特性

  TLC闪存芯片

  拥有三层存储单元，每个单元可以存储3bit数据，每个Cell内部的电位数也扩容到了8个电位，存储空间实现了大幅提升，兼具性能、成本、寿命等多种优势。

  可以说随着TLC闪存芯片的问世，以闪存为介质的固态硬盘产品，才真正意义上实现了普及，走进千家万户。目前主流的企业级应用场景，包括服务器、云计算以及中大型数据中心，基本都配置了综合性能更

佳的TLC闪存产品。

  TLC闪存芯片特性

  QLC闪存芯片

  是在业界为了最大限度的拓展存储空间，最大化降低存储成本，加速固态硬盘普及的再次革新。该芯片拥有四层存储单元，每个Cell内部设计了高达16个电位，进而获得了难以想象的存储空间，业界单颗QLC闪存芯片已然拥有1TB的存储容量。

  目前大部分QLC产品，凭借着成本低和较高性能表现，成为流媒体等读取密集型应用的最佳选择，在该种场景下，能够充分发挥QLC闪存芯片在绝对读取上的优势，规避了频繁写入带来的性能下降和寿命问题。而在其他应用场景中，寿命、性能和成本全面均衡的TLC闪存芯片，依旧是绝对主流。

  QLC闪存芯片特性

  PLC闪存芯片

  至于开篇提及的PLC闪存芯片，顾名思义，则是在QLC基础上进一步挖掘闪存芯片的性能潜质，拥有五层存储单元的PLC闪存芯片，单位存储量实现暴涨的同时，每个Cell内部多达32个电位设计，极大的考验着闪存加工工艺和制程水准，存储空间则会相应的实现暴涨。