Infineon英飞凌_S70KL1281DABHI023_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S70KL1281DABHI023 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

3.0VI/O，11个总线信号：单端时钟（CK）
1.8VI/O，12个总线信号：差分时钟（CK，CK#）
片选 (CS#)
8 位数据总线（DQ[7:0]）
读写数据选通 (RWDS)
RWDS DCARS 时间
双倍数据速率 (DDR)
3.0 V V_CC
顺序突发事务
可配置的突发特性

参数

类型	描述
初始访问时间	40 ns
密度	128 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.3 V
工作电压	3 V
引线球表面	N/A
技术	HYPERRAM
接口带宽	200 MByte/s
接口	HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	- / 100
系列	KL-1

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S70KL1281DABHI023

Cypress ® HyperRAM ™设备是一款具有 HyperBus 接口的高速 CMOS DRAM。128 Mb 版本是 64 Mb 设备的双芯片堆栈。它具有刷新控制逻辑，对于主机来说它类似于 PSRAM，无需手动刷新操作。主机应管理事务持续时间以满足内部刷新需求。

特性

参数

4000-306-326