h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 BGSX44MU18 产品介绍

BGSX44MU18

现货,推荐

BGSX44MU18 RF CMOS 开关专为 LTE 和 5G FR1 四天线应用而设计。该 4P4T 交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。该开关通过 MIPI RFFE 控制接口进行控制。片上控制器允许电源电压从 1.65 到 1.95 V。该开关具有直接连接电池功能和无直流射频端口。与 GaAs 技术不同,仅在外部施加直流电压时才需要在射频端口使用外部直流阻断电容器。该设备尺寸非常小,仅为 2.0 毫米 x 2.4 毫米,厚度为 0.63 毫米。

Infineon英飞凌 BGSX44MU18 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 高线性度,峰值功率高达 37 dBm
  • 快速切换时间(最大 2 µs),适用于 5G SRS 应用
  • 低插入损耗和高端口间隔离,最高可达 7.125 GHz
  • 低功耗特性允许使用 MIPI RFFE 电源,只需将 VDD 和 VIO 引脚组合在 1.65 – 1.95 V 的电压范围内即可
  • MIPI RFFE 2.1 控制接口
  • 软件和硬件可编程 USID
  • 超薄无铅塑料封装(MSL-3,260 C,符合 IPC/JEDEC J-STD-20 标准)
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用


家庭娱乐应用的半导体解决方案, 通用电机驱动器

参数


类型

描述

尺寸

2.0 x 2.4 mm²

开关器件类型

4P4T

控制接口

MIPI 2.1

隔离

43 dB

频率范围 范围

0.4 GHz 至 7.125 GHz

频率范围

0.4 – 7.125 GHz

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 329次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部