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TLE4972-AE35S5

现货,推荐

坚固、高精度电流传感器 TLE4972 –AE35S5 采用霍尔技术,非常适合易受 EMC 影响的环境。其专有的补偿和数字测量确保了温度和寿命的高稳定性。通过高达 31 mT 的精确测量,它可以避免饱和和滞后。VSON-6封装可实现低功耗。包括用于在安全关键应用中快速检测的过流引脚,符合 ISO 26262 标准,最高可达 ASIL B。

Infineon英飞凌 TLE4972-AE35S5 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 高精度、可扩展的直流和交流传感
  • 低温度灵敏度误差
  • 温度偏移稳定性
  • 带宽提供快速响应时间
  • 杂散磁场抑制
  • 双重快速过流检测 (OCD)
  • 紧凑的尺寸降低了损耗
  • 配置模拟输出操作模式
  • 电源电压 3.1 至 3.5V
  • 符合 ISO 26262 SEooC 标准,符合 ASIL B 安全标准
  • 适用于不同布线的多种解决方案。

应用


汽车48V电池管理系统(BMS), 电动汽车牵引逆变器, 车载充电器(OBC), 燃料电池控制单元 (FCCU)

参数


类型

描述

Current rail

external (eCR)

供电电压

3.1 - 3.5 V

准确性

1.3 %

分类

AEC-Q100, ISO 26262-compliant ASIL B

接口

Analog

测量范围

31 mT

目前计划的可用性至少到

2039

诊断

OCD 1, OCD 2, OV, UV, diagnosis mode

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    2026-04-14 211次
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    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 330次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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