h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 TLE4953 E0184 产品介绍

TLE4953 E0184

在产

英飞凌TLE4953差分磁霍尔传感器检测方向,满足汽车和工业市场高端传动应用的需求。传感器的抖动性能以及高灵敏度使设计人员能够创建具有出色振动抑制功能的高精度系统。自适应滞后和动态自校准算法确保细目标轮和粗目标轮都能获得出色的测量结果。与其他英飞凌速度传感器一样,南极和北极可以预感应。

Infineon英飞凌 TLE4953 E0184 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 两线 PWM 电流接口
  • 改进的气隙性能
  • 旋转方向检测
  • 动态自校准原理
  • 自适应磁滞
  • 单芯片解决方案
  • 高抗压电效应性能
  • 宽工作温度范围
  • 从 0 速度到 4.5kHz
  • 1.8nF包覆成型电容器
  • 用于粗传动目标轮

参数


类型

描述

分类

ISO 26262-ready

切碎的Monocell

-

可编程

-

增强型ESD

-

应用

Transmission

技术

Hall

振动抑制

Yes

接口

Current

方向检测

Yes

滞后类型

visible adaptive

真正的通电

-

集成陶瓷电容器

Yes

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部