Infineon英飞凌_S29GL512S12DHE010_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S29GL512S12DHE010 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

512 Mbit 密度
并行接口
120 ns 随机访问时间
20 年数据保留
100 次编程/擦除循环
-55⁰C 至 +125⁰C 军用温度范围
自动错误检查和纠正 (ECC)
64-ball BGA封装
低卤素，无铅

参数

类型	描述
初始访问时间	120 ns
密度	512 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	NA
目前计划的可用性至少到	2033
系列	GL-S
认证标准	Military
页面访问时间	20 ns

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S29GL512S12DHE010

我们的非易失、军用温度、NOR Flash存储器符合汽车质量，并以卓越性能和可靠性为目标进行设计和制造。长期供货计划保证了长期供应的连续性，并辅以零缺陷政策，以确保卓越的质量。

特性

参数

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