Infineon英飞凌_CY7C1370KVE33-167AXM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY7C1370KVE33-167AXM 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

18 Mbit 密度
512K x 36 结构
无总线延迟（NoBL 逻辑）
3.4ns访问速度
片上纠错码 (ECC)
100-pin TQFP 封装
–55 °C 至 125 °C 军用温度范围

参数

类型	描述
密度	18 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	3.135 V 至 3.6 V
引线球表面	Pure Sn
接口	Parallel
数据宽度	x 36
架构	NoBL, Pipeline
片上端接	N
目前计划的可用性至少到	2033
系列	Synchronous SRAM with ECC
组织(X x Y)	512Kb x 36
认证标准	Military
读取延迟(周期)	2
银行切换	N
频率	167 MHz

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CY7C1370KVE33-167AXM

我们的同步 SRAM 是易失性存储器，非常适合满足国防处理系统和通讯设备的处理功耗需求。这些存储器符合汽车级品质标准，其设计和制造都以极致的性能和可靠性为目标。

特性

参数

4000-306-326

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CY7C1370KVE33-167AXM

我们的同步 SRAM 是易失性存储器，非常适合满足国防处理系统和通讯设备的处理功耗需求。 这些存储器符合汽车级品质标准，其设计和制造都以极致的性能和可靠性为目标。

特性

参数

4000-306-326

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