Infineon英飞凌_5962-1821201QXC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 5962-1821201QXC 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1 Mbit密度
128K x 8 结构
35 ns 访问时间
无限耐久性
20 年数据保留
-55 至 +125°C 军用温度等级
32-pin陶瓷双列直插封装
DLAM QML 认证 SMD 5962-18212

参数

类型	描述
密度	1 MBit
峰值回流温度	220 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
最高工作电压 (VCCQ)	5.5 V
工作电压范围	4.5 V 至 5.5 V
引线球表面	Au
接口	Parallel
目前计划的可用性至少到	2033
组织(X x Y)	128Kb x 8
认证标准	Military
速度	35 ns

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5962-1821201QXC

英飞凌 QML-Q 认证的 nvSRAM 存储器提供传统 SRAM 的高性能，同时提供非易失性的额外好处。这些器件具有无限的耐久性，非常适合用于飞行数据记录器中的错误日志记录等应用。

特性

参数

4000-306-326

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5962-1821201QXC

英飞凌 QML-Q 认证的 nvSRAM 存储器提供传统 SRAM 的高性能，同时 提供非易失性的额外好处。 这些器件具有无限的耐久性，非常适合用于飞行数据记录器中的错误日志记录等应用。

特性

参数

4000-306-326

英飞凌 QML-Q 认证的 nvSRAM 存储器提供传统 SRAM 的高性能，同时提供非易失性的额外好处。这些器件具有无限的耐久性，非常适合用于飞行数据记录器中的错误日志记录等应用。