Infineon英飞凌_S25FL128SAGBAEA03_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FL128SAGBAEA03 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

长寿计划
与芯片组供应商建立合作伙伴关系
全球最安全、最可靠的 NOR Flash

特性

128 Mbit 密度
QSPI 接口 @ 每通道 133 MHz
2.7 V – 3.6 V 核心电源电压
1.65V – 3.6VI/O 电源电压
> 20 年数据保留
100 次编程/擦除周期
-55⁰C 至 +125⁰C
24 球 BGA（8 x 6 毫米）
含铅 (Sn/Pb) 球 - 仅限 BGA

参数

类型	描述
密度	128 MBit
峰值回流温度	220 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Pb
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / -
目前计划的可用性至少到	2033
系列	FL-S
认证标准	Military

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S25FL128SAGBAEA03

我们的非易失性、军用温度、NOR 闪存符合汽车质量要求，其设计和制造充分考虑了最终的性能和可靠性。我们的长寿计划保证了长期供应的连续性，并辅以零缺陷政策以确保卓越的品质。

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特性

参数

4000-306-326