Infineon英飞凌_CY15B102Q-SXM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15B102Q-SXM 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

超低功耗
能耗比 EEPROM 低 200 倍
比 NOR 闪存少 3000 倍
以总线速度执行写入操作
不会发生写入延迟
不受外部磁场影响

特性

2 Mbit（256K x 8）密度
SPI 接口 @ 25 MHz 频率
英飞凌的即时写入技术
无限读/写耐久性
120 年数据保留
-55°C 至 125°C
8 引脚 SOIC

参数

类型	描述
密度	2 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2 V 至 3.6 V
引线球表面	Pb-free
接口	SPI
目前计划的可用性至少到	2033
系列	F-RAM
组织(X x Y)	256K x 8
认证标准	Military
频率	25 MHz

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CY15B102Q-SXM

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特性

参数

4000-306-326