Infineon英飞凌_CY15B101N-ZS60XM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15B101N-ZS60XM 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

无需担心电池问题
超低功耗
能耗比 EEPROM 低 200 倍
比 NOR 闪存少 3000 倍
以总线速度执行写入操作
不会发生写入延迟
不受外部磁场影响
真正的表面贴装，无需返工步骤
耐潮湿、抗冲击、抗振动性能出色

特性

1 Mbit (64K x 16) 密度
SRAM 兼容、行业标准 64K x 16 SRAM 引脚排列
英飞凌的即时写入技术
无限读/写耐久性
120 年数据保留
-55°C 至 125°C
44 引脚 TSOP

参数

类型	描述
密度	1 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2 V 至 3.6 V
引线球表面	NiPdAu and Pure Sn
接口	Parallel
目前计划的可用性至少到	2033
组织(X x Y)	64Kx16
认证标准	Military
速度	60 ns

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CY15B101N-ZS60XM

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特性

参数

4000-306-326