Infineon英飞凌_CY7S1061GE30-10BVM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY7S1061GE30-10BVM 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高效的异步 SRAM 解决方案
技术 FIT 率低于 0.3 PPM
可靠性比标准 SRAM 高 1000 倍

特性

16 Mbit 密度
1M 字 x 16 位组织
10ns 访问速度
强力贪睡™
嵌入式纠错码 (ECC)
用于单位错误校正
-55°C 至 125°C
48球VFBGA

参数

类型	描述
密度	16 MBit
峰值回流温度	220 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压 (VCCQ) 范围	2.2 V 至 3.6 V
工作电压范围	2.2 V 至 3.6 V
引线球表面	Sn/Pb
接口	Parallel
目前计划的可用性至少到	2033
系列	FAST SRAM
组织(X x Y)	1M x 16
认证标准	Military
速度	10 ns

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CY7S1061GE30-10BVM

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参数

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