Infineon英飞凌_STK14C88C-35C35M_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 STK14C88C-35C35M 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

256 Kbit 密度
32K x 8 结构
35 ns 访问时间
无限耐久性
20 年数据保留
-55 至 +125°C 军用温度等级
32-pin陶瓷双列直插封装

参数

类型	描述
密度	256 kBit
峰值回流温度	220 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
最高工作电压 (VCCQ)	3.6 V
工作电压范围	3 V 至 3.6 V
引线球表面	Au
接口	Parallel
目前计划的可用性至少到	2033
组织(X x Y)	32Kb x 8
认证标准	Military
速度	35 ns

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STK14C88C-35C35M

英飞凌nvSRAM存储器提供传统SRAM的高性能，同时提供非易失性带来的额外好处。这些器件具有无限的耐久性，非常适合用于飞行数据记录器中的错误日志记录等应用。

特性

参数

4000-306-326

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STK14C88C-35C35M

英飞凌nvSRAM存储器提供传统SRAM的高性能，同时 提供非易失性带来的额外好处。 这些器件具有无限的耐久性，非常适合用于飞行数据记录器中的错误日志记录等应用。

特性

参数

4000-306-326

英飞凌nvSRAM存储器提供传统SRAM的高性能，同时提供非易失性带来的额外好处。这些器件具有无限的耐久性，非常适合用于飞行数据记录器中的错误日志记录等应用。