Infineon英飞凌_IRHLC87Y20CDV_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRHLC87Y20CDV 产品介绍

2026-04-14 0次

参数

类型	描述
最高 TID	100 Krad(Si)
产品组	Rad hard power MOSFET
生成	R8
芯片尺寸	1.7

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IRHLC87Y20CDV

IRHLC87Y20CDV 是采用裸片封装的 20V 抗辐射 MOSFET。该 R8 代器件具有高达 100 kRad(Si) 的电气性能和 100% 的芯片目视检查。

参数

4000-306-326