Infineon英飞凌_IRHC57133SECDK_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRHC57133SECDK 产品介绍

2026-04-14 0次

参数

类型	描述
最高 TID	100 Krad(Si)
最低 VBRDSS	130 V
产品组	Rad hard power MOSFET
极性	N
生成	R5
芯片尺寸	3

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IRHC57133SECDK

IRHC57133SECDK 是采用裸片封装的 100V 抗辐射 MOSFET。该 R5 代设备具有 SEE 耐受性，电气性能高达 100 kRad(Si)，并根据 MIL-PRF-19500 附录 G 进行了 K 级筛选。

参数

4000-306-326