Infineon英飞凌_IRHC67C30CDV_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRHC67C30CDV 产品介绍

2026-04-14 0次

参数

类型	描述
最高 TID	100 Krad(Si)
最低 VBRDSS	600 V
产品组	Rad hard power MOSFET
极性	N
生成	R6
芯片尺寸	3

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IRHC67C30CDV

IRHC67C30CDV 是采用裸片封装的 600V 抗辐射 MOSFET。该 R6 代器件具有高达 100 kRad(Si) 的电气性能和 100% 的芯片目视检查。

参数

4000-306-326