Infineon英飞凌_BUP06CN035L-01_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BUP06CN035L-01 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

针对低地球轨道 (LEO) 任务和星座进行了优化
耐辐射（LET 为 46 MeV∙cm²/mg）
符合 AEC-Q101 标准

参数

类型	描述
ESD等级	1C
最高 ID (@25°C)	52 A
IDpuls	100 A
Ptot	150 W
QG (typ @10V)	26 nC
最高 RDS (on) (@10V)	35 mΩ
最高 TID	30 Krad(Si)
最低 VBRDSS	60 V
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS	20
封装	PG-TO263-3
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
技术	CoolMOS(TM)
极性	N
芯片尺寸	3
认证标准	AEC-Q101

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BUP06CN035L-01

耐辐射，60V，52A，N沟道MOSFET，PG-TO263，30krad(Si) TID

特性

参数

4000-306-326