Infineon英飞凌_CYRS17B01G-133AZMB_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CYRS17B01G-133AZMB 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1G 位密度，133 MHz QSPI
10 万次写入/无限次，读取耐久性
125℃ 下数据可保存10年
1.8V / 3.3 VI/O 支持
100-pin TQFP 封装
符合 DLAM 标准的 5962 即将推出
辐射性能
TID > 300krad
SEU IMMUNE
SEL > 80 LET MeV.cm2/mg [LET]
SEFI 2.77e-5 err/dev.day

参数

类型	描述
密度	1024 MBit
封装	TQFP-100 (51-85050)
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2.97 V 至 3.63 V
接口	QSPI
系列	NOR
组织(X x Y)	x4
认证标准	Military
设备重量	9600 mg
频率	133 MHz

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CYRS17B01G-133AZMB

英飞凌已扩充其抗辐射 NOR 闪存产品系列，该系列产品在性能、密度、抗辐射能力及抗单粒子效应（SEE）性能方面实现了出色组合非常适合存储空间 FPGA 启动代码与配置镜像。

特性

参数

4000-306-326