Infineon英飞凌_5962R2321302VXC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 5962R2321302VXC 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1 Mb 密度 (128K x 8)
10 万亿次读/写循环耐久性
+85°C 下数据可保存 120 年
极低的编程电压（2V）
低工作电流（最大 20 mA）
符合 DLAM QML-V 标准的 SMD 5962-23213（1 和 2Mb F-RAM）
辐射性能：
TID：> 150 克拉德（硅）
SEL: > 96 MeV.cm2/mg [LET]@ 115°C
SEU：免疫
SEFI：5.35e-5 err/dev.day（待机模式）
SEFI：免疫（睡眠模式）

参数

类型	描述
密度	1 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2 V 至 3.6 V
引线球表面	Au
接口	Parallel
目前计划的可用性至少到	2033
系列	F-RAM
组织(X x Y)	128K x 8
认证标准	Military
设备重量	1716.9 mg

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5962R2321302VXC

我们的抗辐射 F-RAM 是业界功耗最低的非易失性存储器解决方案之一，具有抗单粒子翻转 (SEU) 和几乎无限的耐用性。英飞凌的即时非易失性写入技术和超过100年的数据保留时间为空间应用提供了最高的可靠性。

特性

参数

4000-306-326