Infineon英飞凌_5962F2122201PXE_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 5962F2122201PXE 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

卓越的辐射性能
512Mbit 密度，133MHz QSPI 接口
TQFP 塑料封装选项
重量更轻，SWaP-C 优势显著
DLAM QML-P 认证
最高可靠性标准 (QML-P)

特性

512Mb 密度，125MHz QSPI
10 万次写入/无限次读取耐久性
125ºC 时数据可保存 10 年
1.8V / 3.3 VI/O 支持
100 引脚 TQFP 封装
DLAM QML 合格 SMD 5962-21222
辐射性能
TID > 300krad
SEU免疫
SEL > 80 LET MeV.cm2/mg [LET]
SEFI 4.75e-5 err/dev.day

参数

类型	描述
密度	512 MBit
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2.97 V 至 3.63 V
接口	QSPI
目前计划的可用性至少到	2035
系列	NOR
组织(X x Y)	x4
认证标准	Military
设备重量	890.24 mg
频率	133 MHz

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5962F2122201PXE

我们的 512 Mbit 抗辐射 NOR 闪存是英飞凌该系列中的首款产品，为卫星的空间 FPGA 引导代码和配置图像存储解决方案提供最高的性能、密度、辐射和单粒子效应 (SEE) 性能组合。

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特性

参数

4000-306-326