Infineon英飞凌_CYRS1542AV18-250GCMB_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CYRS1542AV18-250GCMB 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

72Mb 密度，4M x18 双字突发模式
250MHz > 频率。/ 36 Gbps 吞吐量
两个独立的单向数据端口
双倍数据速率 (DDR) 端口
输出阻抗匹配 I/P
存储器核心可消除多位错误
1.5 V 至 1.8 V HSTL I/O 信号标准
1.7 V 至 1.9 V 工作 VR
–55°C 至 +125°C 军用温度。级
165陶瓷CGA (CCGA)
SWaP优化的CCGA封装
DLAM QML-V合格SMD 5962-11201

参数

类型	描述
ECC	N
密度	72 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	1.7 V 至 1.9 V
引线球表面	Sn/Pb
接口	Parallel
数据宽度	x 18
架构	QDR-II+
片上端接	N
目前计划的可用性至少到	2033
系列	QDR-II+
组织(X x Y)	4Mb x 18
脉冲长度 (Words)	2
认证标准	Military
设备重量	6152.8 mg
读取延迟(周期)	2
银行切换	N
频率	250 MHz

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CYRS1542AV18-250GCMB

特性

参数

4000-306-326