Infineon英飞凌_5962R1821404VXF_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 5962R1821404VXF 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

144Mb 密度，8Mx18 四字突发模式
250MHz> 频率/ 36 Gbps 吞吐量
两个独立的单向数据端口
双倍数据速率 (DDR) 端口
输出阻抗匹配输入
存储核心位交错
工作电压范围：1.7V 至 1.9V
–55°C 至 +125°C 军用温度等级
165-ball陶瓷 CGA (CCGA)

参数

类型	描述
ECC	N
密度	144 MBit
峰值回流温度	220 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	1.7 V 至 1.9 V
引线球表面	Sn/Pb
接口	Parallel
数据宽度	x 18
架构	QDR-II+, ODT
片上端接	Y
目前计划的可用性至少到	2033
系列	QDR-II+, ODT
组织(X x Y)	8Mb x 18
脉冲长度 (Words)	4
认证标准	Military
设备重量	6152.8 mg
读取延迟(周期)	2
银行切换	N
频率	250 MHz

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5962R1821404VXF

特性

参数

4000-306-326