Infineon英飞凌_CY15B201QSN-108SXE_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15B201QSN-108SXE 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

免除频繁更换存储器
百年可靠数据保存
灵活高速SPI接口
满足高速系统需求
可直接从存储器执行代码
防止误写保护数据
自动检测纠正存储错误
便于设备身份追踪
特殊扇区耐回流焊
降低各模式功耗
适用于低压应用

特性

1-Mb F-RAM，128K × 8结构
10万亿次读写耐久性
121年数据保持
支持四/双/扩展/单SPI
SPI SDR最高108 MHz，DDR 54 MHz
支持XiP直接读写
硬件/软件写保护
内嵌ECC和CRC数据完整性
独特设备及序列号
256字节特殊扇区
低工作/待机/深度掉电电流
1.8 V至3.6 V电源电压

参数

类型	描述
密度	1 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
工作电压范围	1.8 V 至 3.6 V
引线球表面	Pure Sn
接口	QSPI
目前计划的可用性至少到	2033
系列	Excelon™
组织(X x Y)	128Kb x 8
认证标准	Automotive(E)
频率	108 MHz

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CY15B201QSN-108SXE

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特性

参数

4000-306-326