Infineon英飞凌_CY15V108QN-40BFXIT_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15V108QN-40BFXIT 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

151年后数据依然可靠
无写入延迟，数据即时更新
适合频繁快速数据记录
40 MHz SPI实现系统高速访问
低功耗延长电池寿命
多种省电模式节能
敏感数据安全存储
写保护防止数据损坏
唯一ID便于追溯管理
可替换串行EEPROM/闪存
可在恶劣工业环境下工作
高耐久性降低维护需求

特性

8Mb铁电RAM，1024K × 8结构
10^15次读写循环，几乎无限
70°C下数据保留151年
SPI接口最高40 MHz
支持SPI模式0和3
即时非易失性写入，无延迟
40 MHz下有源电流2.6 mA
深度掉电与休眠模式
硬件/软件写保护
唯一设备和序列号ID
256字节特殊扇区安全存储
工业温度范围–40°C至+85°C

参数

类型	描述
密度	8 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	1.71 V 至 1.89 V
引线球表面	Ni/Au
接口	SPI
目前计划的可用性至少到	2033
系列	Excelon
组织(X x Y)	1Mb x 8
认证标准	Industrial
频率	40 MHz

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CY15V108QN-40BFXIT

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特性

参数

4000-306-326