Infineon英飞凌_CY15V108QSN-108BKXI_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15V108QSN-108BKXI 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

151年后数据依然可靠
超高耐久适合频繁写入
总线速度下瞬时写入
多接口灵活集成
高速提升系统性能
XIP支持直接代码执行
ECC/CRC保障数据安全
多重保护防数据丢失
唯一ID便于追溯和安全
低功耗延长电池寿命
休眠/深掉电极省能耗
适用严苛工业环境

特性

8 Mb铁电RAM，1024 K × 8结构
10^14次读写耐久
65°C下151年数据保持
支持Quad SPI、Dual SPI和标准SPI
SPI SDR最高108 MHz，DDR最高46 MHz
支持XIP直接执行
内嵌ECC每8字节纠正2位错误
CRC增强数据完整性
硬件和软件写保护
唯一ID和可编程序列号
低工作电流（12 mA）、待机（105 µA）、深度掉电（0.9
休眠模式（0.1 µA）

参数

类型	描述
密度	8 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	1.71 V 至 1.89 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口	QSPI
目前计划的可用性至少到	2033
系列	Excelon™
组织(X x Y)	1Mb x 8
认证标准	Industrial
频率	108 MHz

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CY15V108QSN-108BKXI

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特性

参数

4000-306-326