Infineon英飞凌_CY15B104QSN-108LPXIT_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CY15B104QSN-108LPXIT 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

151年数据可靠保存
写入无延迟，数据即刻存储
高频写入无磨损风险
108 MHz SPI快速访问
灵活接口易于集成
ECC/CRC保障数据完整
写保护提升安全性
唯一ID便于追溯
特殊区耐回流焊
低功耗适合节能设计
休眠模式延长电池寿命
XIP支持直接代码执行

特性

4 Mbit F-RAM，512K × 8结构
10^14次读写耐久
151年数据保存
四/双/扩展SPI协议
SPI SDR 108 MHz，DDR 54 MHz
支持XIP直接执行
硬件/软件写保护
内置ECC和CRC数据完整性
唯一设备及序列号
专用256字节特殊区
低工作电流10 mA，待机110 µA
深度掉电与休眠模式

应用

健康和生活方式

参数

类型	描述
密度	4096 kBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	1.8 V 至 3.6 V
工作电压 (VCCQ) 范围	1.8 V 至 3.6 V
引线球表面	Ni/Pd/Au
接口	QSPI
系列	Excelon™
组织(X x Y)	512Kb x 8
认证标准	Industrial
速度	0 ns
频率	108 MHz

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CY15B104QSN-108LPXIT

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特性

应用

参数

4000-306-326