Infineon英飞凌_S26HS02GTFPBHV053_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S26HS02GTFPBHV053 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

单元2位提升存储密度
332 MBps DDR实现高速访问
xSPI标准确保兼容性
双接口便于系统集成
灵活扇区适应多场景
大缓存加快编程速度
OTP区保护敏感数据
功能安全支持车规应用
CRC/ECC提升数据可靠性
扇区保护防止误擦写
硬件复位增强系统可靠性

特性

MIRRORBIT技术单元存储2位数据
HYPERBUS接口DDR速率高达332 MBps
符合JEDEC JESD251 xSPI标准
兼容传统SPI接口（SDR至21 MBps）
灵活扇区架构：均匀或混合
页编程缓存：256或512字节
OTP安全硅区：1024字节
功能安全：ISO26262 ASIL B认证
接口与数据完整性CRC
内置ECC：SECDED纠错
高级扇区保护
CS#或RESET#硬件复位

参数

类型	描述
分类	No Certification
密度	2048 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口	HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	- / 166
目前计划的可用性至少到	2037
系列	HS-T
认证标准	Industrial

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S26HS02GTFPBHV053

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