Infineon英飞凌_S28HS256TGZBHB813_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S28HS256TGZBHB813 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高密度可靠数据存储
灵活分区满足设计需求
快速编程与数据吞吐
敏感数据安全存储
兼容标准SPI/Octal系统
高速数据访问适用高端应用
增强安全适合车载/工业
自动ECC保障数据可靠性
错误检测防止数据损坏
均衡耐久延长器件寿命
灵活保护关键数据
宽电压温度范围运行

特性

45 nm MIRRORBIT™技术，单元2位
均匀或混合扇区架构
256/512字节页编程缓冲区
1024字节OTP安全硅阵列
Octal和SPI接口，JESD251兼容
SDR至166 MBps，DDR至400 MBps
功能安全：ISO26262 ASIL B/D
内置ECC：纠正1位，检测2位错误
接口和数据完整性CRC
Endurance Flex耐久均衡架构
扇区/块/高级保护方案
供电电压：1.7–2.0 V或2.7–3.6 V

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-compliant
密度	256 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	400 MByte/s
接口	Octal
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	166 / 200
目前计划的可用性至少到	2037
系列	HS-T
认证标准	Automotive

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S28HS256TGZBHB813

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