Infineon英飞凌_S28HS02GTFPBHB150_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S28HS02GTFPBHB150 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

双位存储提升容量
高速读写提升系统速度
多接口便于集成
ECC和CRC保障数据可靠
功能安全适用关键系统
长期保存确保数据安全
多种扇区适应不同需求
大页缓冲加快编程
SafeBoot增强容错
高耐久降低维护成本
JEDEC标准兼容性强
硬件复位简化设计

特性

Infineon 45 nm MIRRORBIT技术
Octal和SPI接口可选
符合JEDEC JESD251 xSPI标准
SDR最高166 MBps，DDR最高332 MBps
可选256或512字节页缓冲
灵活扇区架构：均匀/混合
内置ECC（SECDED）数据保护
功能安全：ISO26262 ASIL B认证
CRC检测与SafeBoot恢复
主区256万次擦写寿命
数据保存至少25年
CS#或RESET#硬件复位

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-compliant
密度	2 GBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	333 MByte/s
接口	Octal
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	166 / 166
目前计划的可用性至少到	2037
系列	HS-T
认证标准	Automotive

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S28HS02GTFPBHB150

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