Infineon英飞凌_S28HS512TGABHB010_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S28HS512TGABHB010 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

2位/单元高密度节省板空间
灵活扇区适应多场景
大缓冲提升编程效率
OTP阵列安全存储密钥
八路接口高速传输
SDR/DDR满足高性能需求
DS简化高速设计
功能安全适用车规/工业
均衡耐久延长寿命
CRC保障数据可靠
ECC提升数据安全
多级保护防数据配置丢失

特性

45 nm MIRRORBIT™单元存2位
支持均匀/混合扇区架构
256/512字节编程缓冲区
1024字节OTP安全阵列
八路接口，JEDEC JESD251兼容
SDR最高200MBps，DDR最高400MBps
DS简化高速读取
功能安全ISO26262 ASIL B/D
Endurance Flex耐久均衡
接口/数据完整性CRC
内置ECC纠1位检2位错
传统/高级扇区保护

应用

智能驾驶域控制器, 汽车车载主机, 医疗保健

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-compliant
密度	512 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	400 MByte/s
接口	Octal
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	200 / 200
目前计划的可用性至少到	2037
系列	HS-T
认证标准	Automotive

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S28HS512TGABHB010

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特性

应用

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4000-306-326