Infineon英飞凌_S25HS01GTDPBHB033_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25HS01GTDPBHB033 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高密度可靠存储节省空间
灵活扇区适应多场景需求
快速编程提升效率
OTP保障设备安全
高速SPI实现快速传输
功能安全适用于关键应用
分区优化耐久与保存
CRC/ECC保障数据完整性
SafeBoot提升系统可靠性
高级保护防止非法访问
即刻启动加快系统响应
硬件复位提升系统稳定

特性

45 nm MIRRORBIT™单元存2位数据
均匀与混合扇区架构
256/512字节页编程缓冲区
1024字节OTP安全硅阵列
Quad SPI最高102 MBps (DDR, 102 MHz)
Dual SPI最高41.5 MBps (SDR, 166 MHz)
SPI最高21 MBps (SDR, 166 MHz)
功能安全：ISO26262 ASIL B合规
Endurance Flex高耐久/长保留分区
数据完整性CRC与内建ECC
SafeBoot支持初始化/配置恢复
传统与高级扇区保护

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-compliant
密度	1 GBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / 66
目前计划的可用性至少到	2037
系列	HS-T
认证标准	Automotive

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S25HS01GTDPBHB033

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