Infineon英飞凌_S26HS01GTFPBHM030_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S26HS01GTFPBHM030 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高密度高可靠性满足严苛应用
灵活内存映射便于设计
快速编程提升吞吐
敏感数据安全存储
多主机接口轻松集成
高速率实现快速数据访问
增强数据完整性与容错
通信错误检测与修正
快速可靠启动与恢复
细粒度内存保护
可定制耐久性满足不同需求
行业标准兼容广泛应用

特性

45 nm MIRRORBIT技术，单元2比特
可配置扇区架构：均匀或混合
256/512字节页编程缓冲区
OTP安全硅区(SSR)1024字节
HYPERBUS和传统SPI接口
DDR最高400MBps，SDR最高21MBps
内置ECC：单比特纠错，双比特检测
接口与数据完整性CRC
SafeBoot和AutoBoot功能
高级扇区保护
Endurance Flex高耐久/长保持分区
JEDEC xSPI(JESD251)兼容

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-compliant
密度	1 GBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	333 MByte/s
接口	HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	- / 166
目前计划的可用性至少到	2037
系列	HS-T
认证标准	Automotive

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S26HS01GTFPBHM030

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