Infineon英飞凌_S29AL008J70TFN020_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S29AL008J70TFN020 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

简化电源设计
支持高速系统运行
设备认证更安全
灵活管理代码/数据
防止数据意外丢失
编程更快节省时间
待机功耗极低
频繁更新也可靠
数据长期保存
易于系统集成
兼容标准编程器
降低系统出错风险

特性

单2.7–3.6 V读写电源
8 Mbit容量，x8/x16结构
访问速度快至55 ns
110 nm工艺技术
安全硅区存储ID
灵活扇区架构
扇区组保护/解锁
解锁旁路加快编程
超低功耗：0.2 µA待机/休眠
每扇区100万次擦写
数据保存20年
兼容JEDEC命令集

参数

类型	描述
初始访问时间	70 ns
密度	8 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Matte Tin Plating
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	NA
系列	AL-J
认证标准	Industrial

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S29AL008J70TFN020

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