Infineon英飞凌_S29GL01GS11FAIV20_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S29GL01GS11FAIV20 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

65 nm工艺提升可靠性
灵活I/O便于系统集成
电源设计简便
支持宽I/O电压
16位总线加快传输
页读提升访问速度
大缓冲区加快编程
ECC提升数据完整性
扇区管理简单
可中断编程/擦除
数据与扇区保护强
OTP区保障永久数据

特性

65 nm MIRRORBIT™ Eclipse工艺
CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
单电源读/写/擦除（2.7 V至3.6 V）
I/O电压范围1.65 V至VCC
16位数据总线
异步32字节页读
512字节编程缓冲区
内部ECC单比特纠错
统一128 KB扇区
支持编程/擦除中断
高级扇区保护（ASP）
1024字节一次性编程区

参数

类型	描述
初始访问时间	110 ns
密度	1 GBit
峰值回流温度	220 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Pb
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	NA
目前计划的可用性至少到	2035
系列	GL-S
认证标准	Industrial
页面访问时间	15 ns

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S29GL01GS11FAIV20

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