Infineon英飞凌_S70GL02GT11FHA010_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S70GL02GT11FHA010 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高密度适合嵌入式应用
快速编程提升系统速度
灵活I/O兼容性强
大扇区高效管理数据
高级保护确保数据安全
状态监控简化设计
长寿命减少维护
低功耗延长电池寿命
快速访问提升性能
关键代码扇区安全
温度下性能稳定
长期数据可靠

特性

45 nm MIRRORBIT™工艺技术
并行3.0 V内核与多样I/O
支持×8和×16数据总线
16字/32字节页读缓冲
512字节编程缓冲区
统一128 KB扇区，2048个扇区
支持编程/擦除挂起与恢复
高级扇区保护(ASP)
WP#输入保护最后扇区
20 ns页访问，110 ns随机访问
每扇区10万次擦写
1K循环下20年数据保持

参数

类型	描述
初始访问时间	110 ns
密度	2 GBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	NA
目前计划的可用性至少到	2035
系列	GL-T
认证标准	Automotive
页面访问时间	20 ns

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S70GL02GT11FHA010

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