Infineon英飞凌_S29GL512T11FHIV23_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S29GL512T11FHIV23 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高密度适合嵌入式应用
灵活I/O兼容多主机系统
512字节缓冲区加速编程
内置ECC保障数据可靠
均匀扇区简化管理
ASP增强数据安全
10万次擦写寿命长
数据可保存20年
防止上电误写
状态监控方便诊断

特性

45 nm MIRRORBIT™技术
单电源读/写/擦除（2.7–3.6 V）
灵活I/O电压（1.65 V至VCC）
×8/×16数据总线
512字节编程缓冲区
硬件ECC单比特纠错
均匀128KB扇区
高级扇区保护（ASP）
每扇区10万次擦写
典型20年数据保持
上电/低VCC写入禁止
状态寄存器/数据轮询/就绪忙引脚

参数

类型	描述
初始访问时间	110 ns
密度	512 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	-
目前计划的可用性至少到	2035
系列	GL-T
认证标准	Industrial
页面访问时间	25 ns

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S29GL512T11FHIV23

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