Infineon英飞凌_S70GL02GS11FHI010_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S70GL02GS11FHI010 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

大容量支持海量存储
快速访问提升系统性能
灵活I/O简化集成
大缓冲加速读写
统一扇区便于管理
挂起恢复提升多任务
强大保护保障数据安全
OTP阵列支持安全存储
WP#防止误写
低待机电流省电
高耐久减少维护
长期保持数据可靠

特性

65 nm MIRRORBIT™工艺技术
并行3.0 V操作
灵活I/O电压：1.65 V至VCC
16位数据总线
16字/32字节页读缓冲
512字节编程缓冲
统一128 KB扇区
支持编程/擦除挂起恢复
高级扇区保护（ASP）
1024字节OTP阵列可锁定
WP#输入保护扇区
25 ns页访问，110 ns随机访问

参数

类型	描述
初始访问时间	110 ns
密度	2 GBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	NA
目前计划的可用性至少到	2035
系列	GL-S
认证标准	Industrial
页面访问时间	20 ns

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S70GL02GS11FHI010

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