Infineon英飞凌_S29GL256P10TFI010_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S29GL256P10TFI010 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高密度满足嵌入式存储需求
低电压降低功耗
灵活I/O便于系统集成
写缓冲区加快编程
页读缓冲区提升访问速度
简化内存管理
安全区用于永久ID
防止数据意外更改
挂起/恢复提升系统效率
硬件保护防止数据丢失
毛刺保护确保数据完整
高耐久性延长寿命

特性

90 nm MirrorBit工艺技术
单3 V读/编程/擦除操作
VersatileIO控制(1.65 V至VCC I/O)
32字/64字节写缓冲区
8字/16字节页读缓冲区
统一64 K字/128 K字节扇区
128字/256字节安全硅区
高级扇区保护方法
编程/擦除挂起与恢复
硬件数据保护(WP#/ACC, VCC)
写脉冲毛刺保护
每扇区10万次擦除(典型)

参数

类型	描述
初始访问时间	100 ns
密度	256 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Matte Tin Plating
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	NA
系列	GL-P
认证标准	Industrial
页面访问时间	25 ns

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S29GL256P10TFI010

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