Infineon英飞凌_S29GL064S70TFI060_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S29GL064S70TFI060 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

3.0 V简化电源设计
65 nm工艺提升可靠性
灵活总线兼容多平台
快速访问提升性能
页缓冲加快数据读取
写缓冲提升编程速度
ECC提升数据完整性
多级保护增强安全
高耐久降低维护成本
长期保存保障数据
低功耗延长电池寿命
JEDEC兼容便于集成

特性

3.0 V单电源操作
65 nm MIRRORBIT™工艺
16位或8/16位数据总线
70 ns访问, 15 ns页读
8字/16字节页读缓冲
128字/256字节写缓冲
内部ECC单比特纠错
高级扇区保护(持久/密码)
每扇区10万次擦写
典型20年数据保持
自动休眠与待机模式
JEDEC CFI和命令兼容

参数

类型	描述
初始访问时间	70 ns
密度	64 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Matte Tin Plating
接口	Parallel
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	NA
目前计划的可用性至少到	2035
系列	GL-S
认证标准	Industrial
页面访问时间	15 ns

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S29GL064S70TFI060

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